FDH210N08

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-3

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

75 V

Id - 连续漏极电流：

120 A

Rds On - 漏源电阻：

5.5 mOhms

商品名：

单场效应晶体管

打包：

管子

高度：

20.82 mm

长度：

15.87 mm

系列：

FDH210N08

宽度：

4.82 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

450

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.225401 oz

Tags

FDH2, FDH