A2T23H200W23SR6

产品属性

属性值

制造商：

恩智浦

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

双 N 通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

1.8 A

Vds - 漏源击穿电压：

- 500 mV, 65 V

获得：

15.5 dB

输出功率：

51 W

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

ACP-1230S-4

打包：

卷轴

工作频率：

2300 MHz to 2400 MHz

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

恩智浦半导体

通道数：

2 Channel

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

150

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

- 6 V, 10 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.1 V

第 # 部分别名：

935347117128

单位重量：

0 oz

Tags

A2T23H, A2T23, A2T2, A2T