GT30J1

GT30J121(Q) vs GT30J101 vs GT30J121

 
PartNumberGT30J121(Q)GT30J101GT30J121
DescriptionIGBT Transistors 600V/30A DIS30A, 600V, N-CHANNEL IGBT
ManufacturerToshibaTOSHIBATOSHIBA
Product CategoryIGBT TransistorsIC ChipsIGBTs - Single
RoHSY--
TechnologySi--
Package / CaseTO-3P--
Mounting StyleThrough Hole--
ConfigurationSingle--
Collector Emitter Voltage VCEO Max600 V--
Maximum Gate Emitter Voltage20 V--
Continuous Collector Current at 25 C30 A--
Minimum Operating Temperature- 55 C--
Maximum Operating Temperature+ 150 C--
SeriesGT30J121--
Continuous Collector Current Ic Max30 A--
Height19 mm--
Length15.9 mm--
Width4.8 mm--
BrandToshiba--
Product TypeIGBT Transistors--
Factory Pack Quantity50--
SubcategoryIGBTs--
Unit Weight0.238311 oz--
制造商 型号 描述 RFQ
Toshiba
Toshiba
GT30J121(Q) IGBT Transistors 600V/30A DIS
GT30J101 全新原装
GT30J121 30A, 600V, N-CHANNEL IGBT
GT30J121,GT30J322 全新原装
GT30J122 全新原装
GT30J122 GT30J122A 全新原装
GT30J122(GREE,Q) 全新原装
GT30J122(GREE,Q)TOSHIBA- 全新原装
GT30J122(Q) 全新原装
GT30J122,GT30J122A, 全新原装
GT30J122A 全新原装
GT30J122A . 30J122A 全新原装
GT30J122A(STA1,E,D 全新原装
GT30J122A(STA1,E,D) 全新原装
GT30J122A(STA1ED 全新原装
GT30J122A,30J122A,GT30J1 全新原装
GT30J122A,GT40Q321,30J12 全新原装
GT30J122AQ(O) 全新原装
GT30J124 全新原装
GT30J126 全新原装
GT30J126(Q) 全新原装
GT30J127 全新原装
GT30J127 30J127 全新原装
GT30J121(Q) IGBT Transistors 600V/30A DIS
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