STGWA30H65FB

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

IGBT晶体管

技术：

硅

包装/案例：

TO-247-3

安装方式：

通孔

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

650 V

集电极-发射极饱和电压：

1.55 V

最大栅极发射极电压：

20 V

25 C 时的连续集电极电流：

60 A

Pd - 功耗：

260 W

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

系列：

STGWA30H65FB

品牌：

意法半导体

栅极-发射极漏电流：

250 nA

产品类别：

IGBT晶体管

出厂包装数量：

600

子类别：

IGBT

Tags

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