FQA7N80C-F109

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-3PN-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

800 V

Id - 连续漏极电流：

7 A

Rds On - 漏源电阻：

1.9 Ohms

Vgs - 栅源电压：

30 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

198 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

场效应管

打包：

管子

高度：

20.1 mm

长度：

16.2 mm

系列：

FQA7N80C_F109

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

5 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

秋季时间：

60 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

100 ns

出厂包装数量：

450

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

50 ns

典型的开启延迟时间：

35 ns

第 # 部分别名：

FQA7N80C_F109

单位重量：

0.225789 oz

Tags

FQA7N80C-F, FQA7N80C, FQA7N8, FQA7N, FQA7, FQA