GA10SICP12-247

产品属性

属性值

制造商：

GeneSiC半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

碳化硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

1.2 kV

Id - 连续漏极电流：

25 A

Rds On - 漏源电阻：

100 mOhms

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

55 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

170 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

系列：

GA10SICP12

品牌：

GeneSiC半导体

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

30

子类别：

MOSFET

单位重量：

1.340411 oz

Tags

GA10S, GA10, GA1