BSS192PH6327XTSA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-89-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

250 V

Id - 连续漏极电流：

190 mA

Rds On - 漏源电阻：

20 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

- 200 pC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.5 mm

长度：

4.5 mm

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

2.5 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

0.38 S

秋季时间：

50 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

5.2 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

72 ns

典型的开启延迟时间：

4.7 ns

第 # 部分别名：

BSS192P H6327 SP001195030

Tags

BSS192PH, BSS192P, BSS19, BSS1, BSS