RGT80TS65DGC11

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

IGBT晶体管

RoHS：

Y

技术：

硅

包装/案例：

TO-247-3

安装方式：

通孔

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

650 V

集电极-发射极饱和电压：

1.65 V

最大栅极发射极电压：

30 V

25 C 时的连续集电极电流：

70 A

Pd - 功耗：

234 W

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 175 C

系列：

RGT80TS65D

打包：

管子

连续集电极电流 Ic 最大值：

70 A

工作温度范围：

- 40 C to + 175 C

品牌：

罗姆半导体

连续集电极电流：

40 A

栅极-发射极漏电流：

+/- 200 nA

产品类别：

IGBT晶体管

出厂包装数量：

450

子类别：

IGBT

第 # 部分别名：

RGT80TS65D

单位重量：

1.340411 oz

Tags

RGT80TS65DG, RGT80, RGT8, RGT