STR2P3LLH6

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

2 A

Rds On - 漏源电阻：

56 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

6 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

350 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

STripFET

打包：

卷轴

高度：

1.4 mm

长度：

3.04 mm

系列：

STR2P3LLH6

晶体管类型：

1 P-Channel Power MOSFET

宽度：

1.75 mm

品牌：

意法半导体

秋季时间：

3.4 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

5 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

19.2 ns

典型的开启延迟时间：

5.4 ns

单位重量：

0.000282 oz

Tags

STR2, STR