STP180N10F3

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

120 A

Rds On - 漏源电阻：

4.5 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

114.6 nC

Pd - 功耗：

315 W

配置：

单身的

商品名：

STripFET

打包：

管子

系列：

STP180N10F3

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

意法半导体

秋季时间：

6.9 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

97.1 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.011640 oz

Tags

STP180N, STP180, STP18, STP1, STP