CMLDM8120 TR

产品属性

属性值

制造商：

中央半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-563-6

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

860 mA

Rds On - 漏源电阻：

85 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

450 mV

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

3.56 nC

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

350 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

CMLDM8120

品牌：

中央半导体

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

25 ns

典型的开启延迟时间：

20 ns

Tags

CMLDM8120T, CMLDM81, CMLDM8, CMLDM, CMLD, CML