CSD16411Q3

产品属性

属性值

制造商：

德州仪器

产品分类：

MOSFET

RoHS：

E

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

VSON-CLIP-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

25 V

Id - 连续漏极电流：

100 A

Rds On - 漏源电阻：

10 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.7 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

2.9 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

35 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

场效应管

打包：

卷轴

高度：

1 mm

长度：

3.3 mm

系列：

CSD16411Q3

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

3.3 mm

品牌：

德州仪器

正向跨导 - 最小值：

30 S

开发套件：

TPS2592AAEVM-531, TPS2592BLEVM-531

秋季时间：

3.1 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

7.8 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

6 ns

典型的开启延迟时间：

5.3 ns

单位重量：

0.001467 oz

Tags

CSD16411, CSD1641, CSD164, CSD16, CSD1, CSD