IFN5199

产品属性

属性值

制造商：

场效应管

产品分类：

场效应管

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-71-6

晶体管极性：

N通道

配置：

双重的

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Vgs - 栅源击穿电压：

- 50 V

Vgs=0 时的漏源电流：

7 mA

Id - 连续漏极电流：

- 200 uA

Pd - 功耗：

250 mW

系列：

IFN519

打包：

大部分

类型：

场效应管

品牌：

场效应管

正向跨导 - 最小值：

1 mS

栅源截止电压：

- 4 V

出厂包装数量：

1

第 # 部分别名：

2N5199

Tags

IFN519, IFN51, IFN5, IFN