IFN5566

产品属性

属性值

制造商：

场效应管

产品分类：

场效应管

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-71-6

晶体管极性：

N通道

配置：

双重的

Vgs - 栅源击穿电压：

- 40 V

Vgs=0 时的漏源电流：

30 mA

Rds On - 漏源电阻：

100 Ohms

Pd - 功耗：

650 mW

打包：

大部分

类型：

场效应管

品牌：

场效应管

正向跨导 - 最小值：

7000 uhmo

栅源截止电压：

- 3 V

出厂包装数量：

1

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IFN556, IFN55, IFN5, IFN