GA20JT12-263

产品属性

属性值

制造商：

GeneSiC半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

碳化硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-7

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

1.2 kV

Id - 连续漏极电流：

45 A

Rds On - 漏源电阻：

50 mOhms

Vgs - 栅源电压：

3.44 V

Qg - 门电荷：

104 nC

Pd - 功耗：

282 W

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

GA20JT12

品牌：

GeneSiC半导体

秋季时间：

15 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

12 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

25 ns

典型的开启延迟时间：

15 ns

单位重量：

0.056438 oz

Tags

GA20, GA2