DMN33D8LV-7

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

包装/案例：

SOT-363-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N 通道，NPN

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

350 mA

Rds On - 漏源电阻：

2.4 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

800 mV

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

1.25 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

430 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

晶体管类型：

2 N-Channel

品牌：

二极管公司

秋季时间：

13.6 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

2.6 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

18.2 ns

典型的开启延迟时间：

2.9 ns

Tags

DMN33D, DMN33, DMN3, DMN