STI34N65M5

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-262-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

28 A

Rds On - 漏源电阻：

110 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4 V

Qg - 门电荷：

62.5 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

190 W

配置：

单身的

打包：

管子

系列：

STI34N65M5

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

意法半导体

秋季时间：

7.5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

8.7 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.139332 oz

Tags

STI34, STI3, STI