VND5N07-E

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

70 V

Id - 连续漏极电流：

5 A

Rds On - 漏源电阻：

200 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

800 mV

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

18 nC

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

60 W

配置：

单身的

资质：

AEC-Q101

打包：

管子

系列：

VND5N07-E

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

功率MOSFET

品牌：

意法半导体

正向跨导 - 最小值：

3 S

秋季时间：

1100 ns

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

上升时间：

400 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

3900 ns

典型的开启延迟时间：

150 ns

单位重量：

0.139332 oz

Tags

VND5N0, VND5N, VND5, VND