CSD87503Q3ET

产品属性

属性值

制造商：

德州仪器

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

VSON-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

10 A

Rds On - 漏源电阻：

17.3 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.3 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

42.8 nC, 42.8 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

15.6 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

商品名：

场效应管

打包：

卷轴

系列：

CSD87503Q3E

晶体管类型：

2 N-Channel

品牌：

德州仪器

正向跨导 - 最小值：

24 S, 24 S

秋季时间：

8 ns, 8 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

40 ns, 40 ns

出厂包装数量：

250

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

25 ns, 25 ns

典型的开启延迟时间：

10 ns, 10 ns

Tags

CSD8750, CSD875, CSD87, CSD8, CSD