TSM650P03CX RFG

产品属性

属性值

制造商：

台积电

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

4.1 A

Rds On - 漏源电阻：

55 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

400 mV

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

8 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.56 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

台积电

秋季时间：

12.4 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

19.4 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

45.9 ns

典型的开启延迟时间：

5.4 ns

单位重量：

0.000282 oz

Tags

TSM650, TSM65, TSM6, TSM