SIHFB11N50A-E3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

500 V

Id - 连续漏极电流：

11 A

Rds On - 漏源电阻：

520 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

52 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

170 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

高度：

15.49 mm

长度：

10.41 mm

系列：

国际高频头

宽度：

4.7 mm

品牌：

威世 / Siliconix

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

1

子类别：

MOSFET

Tags

SIHFB1, SIHFB, SIHF, SIH