IRFHM830TRPBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PQFN-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

21 A

Rds On - 漏源电阻：

4.8 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.8 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

31 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.7 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.05 mm

长度：

3.3 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

HEXFET 功率 MOSFET

宽度：

3.3 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

52 S

秋季时间：

9.2 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

25 ns

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

13 ns

典型的开启延迟时间：

12 ns

第 # 部分别名：

SP001566782

单位重量：

0.002328 oz

Tags

IRFHM830T, IRFHM830, IRFHM83, IRFHM8, IRFHM, IRFH, IRF