RSJ400N10TL

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

40 A

Rds On - 漏源电阻：

19 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

90 nC

Pd - 功耗：

50 W

配置：

单身的

打包：

卷轴

系列：

RSJ400N10

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

250 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

80 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

205 ns

典型的开启延迟时间：

25 ns

第 # 部分别名：

RSJ400N10

单位重量：

0.068654 oz

Tags

RSJ400N1, RSJ40, RSJ4, RSJ