IPB048N15N5ATMA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

150 V

Id - 连续漏极电流：

120 A

Rds On - 漏源电阻：

3.7 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

100 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

300 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

优化MOS

打包：

卷轴

高度：

4.4 mm

长度：

10 mm

系列：

OptiMOS 5

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

9.25 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

59 S

秋季时间：

37 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

5.3 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

4.5 ns

典型的开启延迟时间：

19.6 ns

第 # 部分别名：

IPB048N15N5 SP001279596

单位重量：

0.077603 oz

Tags

IPB048N1, IPB048, IPB04, IPB0, IPB