A1P25S12M3-F

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

IGBT 模块

RoHS：

Y

技术：

硅

产品：

IGBT 硅模块

配置：

六包

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

1200 V

集电极-发射极饱和电压：

1.95 V

25 C 时的连续集电极电流：

25 A

栅极-发射极漏电流：

500 nA

Pd - 功耗：

197 W

包装/案例：

ACEPACK1

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

A1P25S12M3-F

品牌：

意法半导体

安装方式：

压合

最大栅极发射极电压：

20 V

产品类别：

IGBT 模块

出厂包装数量：

18

子类别：

IGBT

商品名：

ACEPACK

Tags

A1P2, A1P