STL7NM60N

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PowerFLAT-5x5-14

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

5.8 A

Rds On - 漏源电阻：

805 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

Vgs - 栅源电压：

25 V

Qg - 门电荷：

14 nC

Pd - 功耗：

4 W

打包：

卷轴

系列：

STL7NM60N

品牌：

意法半导体

秋季时间：

12 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

10 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

Tags

STL7NM, STL7N, STL7, STL