IRF6674TR1PBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DirectFET-MZ

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

67 A

Rds On - 漏源电阻：

9 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4.9 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

24 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

89 W

配置：

单身的

打包：

卷轴

高度：

0.7 mm

长度：

6.35 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

5.05 mm

品牌：

英飞凌/红外

正向跨导 - 最小值：

16 S

秋季时间：

8.7 ns

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

上升时间：

12 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

SP001571484

Tags

IRF667, IRF66, IRF6, IRF