RZM001P02T2L

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-723-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

100 mA

Rds On - 漏源电阻：

40 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

300 mV

Vgs - 栅源电压：

1.2 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

150 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.55 mm

长度：

1.3 mm

产品：

MOSFET

系列：

RZM001P02

晶体管类型：

1 P-Channel

类型：

小信号 MOSFET

宽度：

0.9 mm

品牌：

罗姆半导体

正向跨导 - 最小值：

120 ms

秋季时间：

137 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

62 ns

出厂包装数量：

8000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

325 ns

典型的开启延迟时间：

46 ns

第 # 部分别名：

RZM001P02

单位重量：

0.000282 oz

Tags

RZM001, RZM00, RZM