CG2H80030D-GP4

产品属性

属性值

制造商：

克里公司

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管类型：

HEMT

技术：

氮化镓

获得：

17 dB

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Vgs - 栅源击穿电压：

- 10 V to 2 V

Id - 连续漏极电流：

0.8 A

输出功率：

6 W

最大漏栅电压：

-

最低工作温度：

-

最高工作温度：

-

Pd - 功耗：

-

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

死

打包：

凝胶包

应用：

-

配置：

单身的

高度：

100 um

长度：

840 um

工作频率：

10 MHz to 18 GHz

工作温度范围：

-

产品：

氮化镓 HEMT

宽度：

800 um

品牌：

Wolfspeed / 克里

栅源截止电压：

-

班级：

-

开发套件：

-

秋季时间：

-

NF - 噪声系数：

-

P1dB - 压缩点：

-

产品类别：

射频 JFET 晶体管

Rds On - 漏源电阻：

2.3 Ohms

上升时间：

-

出厂包装数量：

10

子类别：

晶体管

典型关断延迟时间：

-

Vgs th - 栅源阈值电压：

- 3 V

Tags

CG2H800, CG2H8, CG2H, CG2