QPD1008L

产品属性

属性值

制造商：

科沃

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管类型：

HEMT

技术：

氮化镓碳化硅

获得：

17.5 dB

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

50 V

Vgs - 栅源击穿电压：

145 V

Id - 连续漏极电流：

4 A

输出功率：

162 W

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 85 C

Pd - 功耗：

127 W

安装方式：

螺丝安装

包装/案例：

NI-360

打包：

托盘

配置：

单身的

工作频率：

3.2 GHz

工作温度范围：

- 40 C to + 85 C

系列：

QPD

品牌：

科沃

开发套件：

QPD1008LPCB401

湿气敏感：

是的

产品类别：

射频 JFET 晶体管

出厂包装数量：

25

子类别：

晶体管

Vgs th - 栅源阈值电压：

- 2.8 V

Tags

QPD100, QPD10, QPD1, QPD