IPW65R190CFDFKSA2

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

17.5 A

Rds On - 漏源电阻：

190 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3.5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

68 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

151 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

酷摩

打包：

管子

系列：

CFD2

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

6.4 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

8.4 ns

出厂包装数量：

240

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

53.2 ns

典型的开启延迟时间：

12 ns

第 # 部分别名：

IPW65R190CFD

Tags

IPW65R190CF, IPW65R190C, IPW65R19, IPW65R1, IPW65R, IPW65, IPW6, IPW