STP60N3LH5

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

48 A

Rds On - 漏源电阻：

7.2 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

Vgs - 栅源电压：

22 V

Qg - 门电荷：

8.8 nC

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

60 W

配置：

单身的

打包：

管子

系列：

STP60N3LH5

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

N 沟道 STripFET V 功率 MOSFET

品牌：

意法半导体

正向跨导 - 最小值：

1.1 S

秋季时间：

4.2 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

33 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

19 ns

典型的开启延迟时间：

6 ns

单位重量：

0.011640 oz

Tags

STP60N, STP60, STP6, STP