STB50NE10T4

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

50 A

Rds On - 漏源电阻：

21 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

180 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

4.6 mm

长度：

10.4 mm

系列：

STB50NE10

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

9.35 mm

品牌：

意法半导体

正向跨导 - 最小值：

35 S

秋季时间：

35 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

100 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

45 ns

典型的开启延迟时间：

25 ns

单位重量：

0.139332 oz

Tags

STB50NE1, STB50NE, STB50N, STB50, STB5, STB