MMBTH10-4LT1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23-3

晶体管极性：

NPN

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

25 V

集电极-基极电压 VCBO：

30 V

发射极基极电压 VEBO：

3 V

集电极-发射极饱和电压：

0.5 V

增益带宽积 fT：

800 MHz

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

MMBTH10L

高度：

0.94 mm

长度：

2.9 mm

打包：

卷轴

宽度：

1.3 mm

品牌：

安森美半导体

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

120

Pd - 功耗：

225 mW

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

3000

子类别：

晶体管

单位重量：

0.000282 oz

Tags

MMBTH10-4LT1G, MMBTH10-4, MMBTH10, MMBTH1, MMBTH, MMBT, MMB