FQB34P10TM-F085P

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

D2PAK-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

33.5 A

Rds On - 漏源电阻：

49 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4 V

Vgs - 栅源电压：

25 V

Qg - 门电荷：

85 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

155 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

23 S

秋季时间：

210 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

250 ns

出厂包装数量：

800

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

160 ns

典型的开启延迟时间：

25 ns

第 # 部分别名：

FQB34P10TM_F085P

单位重量：

0.051500 oz

Tags

FQB34P10TM-F, FQB34P10T, FQB34P, FQB34, FQB3, FQB