DMN2075UDW-7

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363-6

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

2.8 A

Rds On - 漏源电阻：

48 mOhms

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

7 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

500 mW (1/2 W)

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

DMN2075

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

二极管公司

正向跨导 - 最小值：

13 S

秋季时间：

6.7 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

9.8 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

28.1 ns

典型的开启延迟时间：

7.4 ns

单位重量：

0.000212 oz

Tags

DMN2075UD, DMN207, DMN20, DMN2, DMN