STD65N55F3

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

55 V

Id - 连续漏极电流：

80 A

Rds On - 漏源电阻：

8.5 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

33.5 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

110 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

高度：

2.4 mm

长度：

6.6 mm

系列：

STD65N55F3

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

6.2 mm

品牌：

意法半导体

正向跨导 - 最小值：

50 S

秋季时间：

11.5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

50 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

35 ns

典型的开启延迟时间：

20 ns

单位重量：

0.139332 oz

Tags

STD65N5, STD65N, STD65, STD6, STD