STB21NM60N

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

17 A

Rds On - 漏源电阻：

190 mOhms

Vgs - 栅源电压：

25 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

140 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

4.6 mm

长度：

10.4 mm

系列：

STW21NM60N

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

功率MOSFET

宽度：

9.35 mm

品牌：

意法半导体

正向跨导 - 最小值：

12 S

秋季时间：

31 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

15 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

84 ns

典型的开启延迟时间：

22 ns

单位重量：

0.139332 oz

Tags

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