VNP5N07-E

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Id - 连续漏极电流：

5 A

Rds On - 漏源电阻：

200 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

800 mV

Qg - 门电荷：

18 nC

Pd - 功耗：

31 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

管子

系列：

VNP5N07

晶体管类型：

1 N-Channel OMNIFET Power MOSFET

类型：

功率MOSFET

品牌：

意法半导体

正向跨导 - 最小值：

4 S

秋季时间：

40 ns, 1100 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

60 ns, 400 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

150 ns, 3900 ns

典型的开启延迟时间：

50 ns, 150 ns

单位重量：

0.011640 oz

Tags

VNP5N07, VNP5N, VNP5, VNP