QS6M4TR

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-457T-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V, 20 V

Id - 连续漏极电流：

1.5 A

Rds On - 漏源电阻：

260 mOhms

Vgs - 栅源电压：

12 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.25 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.85 mm

长度：

2.9 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

QS6M4

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

1.6 mm

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

18 ns, 12 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

18 ns, 12 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

15 ns, 45 ns

典型的开启延迟时间：

7 ns, 10 ns

第 # 部分别名：

QS6M4

单位重量：

0.000494 oz

Tags

QS6M4, QS6M, QS6