RYE002N05TCL

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-416-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

50 V

Id - 连续漏极电流：

200 mA

Rds On - 漏源电阻：

9 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

300 mV

Vgs - 栅源电压：

8 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

150 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.7 mm

长度：

1.6 mm

产品：

MOSFET

系列：

RYE002N05

晶体管类型：

1 N-channel

类型：

功率MOSFET

宽度：

0.8 mm

品牌：

罗姆半导体

正向跨导 - 最小值：

200 mS

秋季时间：

43 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

8 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

17 ns

典型的开启延迟时间：

5 ns

第 # 部分别名：

RYE002N05

单位重量：

0.000212 oz

Tags

RYE002N05T, RYE0, RYE