EMH2417R-TL-H

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

EMH-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

12 V

Id - 连续漏极电流：

11 A

Rds On - 漏源电阻：

8 mOhms, 8 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

500 mV

Vgs - 栅源电压：

12 V

Qg - 门电荷：

16 nC, 16 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.3 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

EMH2417R

晶体管类型：

2 N-channel

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

13 S, 13 S

秋季时间：

6.4 us, 6.4 us

产品类别：

MOSFET

上升时间：

1.6 us, 1.6 us

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

8.9 us, 8.9 us

典型的开启延迟时间：

470 ns, 470 ns

Tags

EMH241, EMH24, EMH2, EMH