STB85NS04Z

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

33 V

Id - 连续漏极电流：

80 A

Rds On - 漏源电阻：

15 mOhms

Vgs - 栅源电压：

18 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

215 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

4.6 mm

长度：

10.4 mm

系列：

STB85NS04Z

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

9.35 mm

品牌：

意法半导体

秋季时间：

145 ns

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.139332 oz

Tags

STB85N, STB85, STB8, STB