IRFHM792TR2PBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PQFN-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

2.3 A

Rds On - 漏源电阻：

195 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

4.2 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.3 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.9 mm

长度：

3.3 mm

晶体管类型：

2 N-Channel

宽度：

3.3 mm

品牌：

英飞凌/红外

正向跨导 - 最小值：

3.5 S

秋季时间：

2.6 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

4.7 ns

出厂包装数量：

400

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

5.2 ns

典型的开启延迟时间：

3.4 ns

第 # 部分别名：

SP001575860

单位重量：

0.001164 oz

Tags

IRFHM79, IRFHM7, IRFHM, IRFH, IRF