QPD1025

产品属性

属性值

制造商：

科沃

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

双 N 通道

技术：

氮化镓碳化硅

Id - 连续漏极电流：

28 A

Vds - 漏源击穿电压：

65 V

获得：

22.5 dB

输出功率：

1.862 kW

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 85 C

包装/案例：

NI-1230-4

打包：

托盘

工作频率：

1 GHz to 1.1 GHz

系列：

QPD

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

科沃

通道数：

2 Channel

湿气敏感：

是的

Pd - 功耗：

685 W

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

18

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

- 2.8 V

Tags

QPD102, QPD10, QPD1, QPD