QPD1011SR

产品属性

属性值

制造商：

科沃

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管类型：

HEMT

技术：

氮化镓碳化硅

获得：

21 dB

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

50 V

Vgs - 栅源击穿电压：

145 V

Id - 连续漏极电流：

1.46 A

输出功率：

8.7 W

最大漏栅电压：

55 V

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 85 C

Pd - 功耗：

13 W

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SMD-8

打包：

卷轴

工作频率：

30 MHz to 1200 MHz

系列：

QPD1011

品牌：

科沃

正向跨导 - 最小值：

-

开发套件：

QPD1011EVB01

湿气敏感：

是的

产品类别：

射频 JFET 晶体管

出厂包装数量：

100

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

QPD1011

Tags

QPD101, QPD10, QPD1, QPD