STB23NM60ND

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

D2PAK-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

19.5 A

Rds On - 漏源电阻：

180 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

69 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

150 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

4.6 mm

长度：

10.4 mm

系列：

STB23NM60ND

晶体管类型：

1 N-Channel Power MOSFET

宽度：

9.35 mm

品牌：

意法半导体

秋季时间：

42 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

19 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

92 ns

典型的开启延迟时间：

21 ns

单位重量：

0.139332 oz

Tags

STB23NM, STB23N, STB23, STB2, STB