STW75N60M6-4

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-4

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

72 A

Rds On - 漏源电阻：

36 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3.25 V

Vgs - 栅源电压：

25 V

Qg - 门电荷：

106 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

446 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

系列：

STW75N60M6

晶体管类型：

1 N Channel

品牌：

意法半导体

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

600

子类别：

MOSFET

Tags

STW75N60M, STW75N6, STW75, STW7, STW