IRF7779L2TR1PBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DirectFET-L8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

150 V

Id - 连续漏极电流：

67 A

Rds On - 漏源电阻：

9 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

97 nC

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

125 W

配置：

单身的

打包：

卷轴

高度：

0.74 mm

长度：

9.15 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

7.1 mm

品牌：

英飞凌/红外

正向跨导 - 最小值：

83 S

秋季时间：

12 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

19 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

SP001575282

Tags

IRF777, IRF77, IRF7, IRF