PD85035C

产品属性

属性值

制造商：

意法半导体

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

8 A

Vds - 漏源击穿电压：

40 V

获得：

14.5 dB

输出功率：

35 W

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

M243

打包：

大部分

配置：

单身的

高度：

4.45 mm (Max)

长度：

9.4 mm (Max)

工作频率：

1 GHz

系列：

PD85035C

类型：

射频功率MOSFET

宽度：

6.1 mm (Max)

品牌：

意法半导体

频道模式：

增强

Pd - 功耗：

108 W

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

15 V

Tags

PD8503, PD850, PD85, PD8